國家存儲器基地使用松夏ZTF型彈簧隔振器
國家存儲器基地
國家存儲器基地位于武漢光谷 [1] 。存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場,DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷,尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首,共占據(jù)了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片,成為繼美國和韓國后,全球第三個掌握相變存儲技術(shù)的國家。
項目開工編輯
2017年1月1日,總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工。 [3]
建設方編輯
“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲器產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體,建成后,還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展。 [3]
項目內(nèi)容編輯
“國家存儲器基地”項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個項目,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。 [3]
意義編輯
芯片國產(chǎn)化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一,作為信息技術(shù)的基礎產(chǎn)業(yè),半導體集成電路持續(xù)受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎產(chǎn)品之一,產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應均較為顯著,國家存儲器基地的建立,標志著芯片國產(chǎn)化之路邁出可靠而重要的一步。 [2]
案例合同:
產(chǎn)品簡介:
1、彈簧采用低頻率值設計,并經(jīng)噴塑處理,耐候性強,防震效果好。
2、頂部、底部均采用防滑耐磨橡膠以及固定螺栓,安全性能大大提高。
3、安裝簡單并根據(jù)實際需要調(diào)整水平及高度。
4、能夠有效隔變壓器的振動,并保護及延長其使用壽命。